趙東艷：攻克關鍵技術“鑄造電力最強芯”

　　主要成果：長期專注工業(yè)芯片可靠性基礎技術研究，在芯片工藝退化失效機理、可靠性預測模型等關鍵技術突破、產品研發(fā)方面取得了豐碩成果。

　　3月2日21時許，北京智芯微電子科技有限公司工業(yè)芯片可靠性實驗室依舊燈火通明。作為國家重點研發(fā)計劃“國家質量基礎的共性技術研究與應用專項項目”負責人，該公司總經理趙東艷已經帶領團隊在實驗室忙碌了近3周。為了更好地展示近兩年在基礎理論、模型技術、可靠性設計等全鏈路取得的突破性成果，她白天帶領團隊在會議室準備項目驗收評審材料，晚上和團隊在實驗室搭建驗證測試平臺。

　　趙東艷于2009年開始從事芯片技術研究工作。14年來，她以“鑄造電力最強芯”為使命，聚焦芯片架構設計、可靠性機理與建模、器件工藝等國內電力芯片技術的難點，帶領團隊攻克了一系列關鍵技術難題，為電力芯片技術發(fā)展貢獻力量。

　　電力設備大多安裝在戶外，電力芯片需要在高溫、低溫、強電磁、高濕等惡劣環(huán)境條件下7×24小時連續(xù)穩(wěn)定運行15年以上，現(xiàn)場應用失效率小于百萬分之一。為保障電力系統(tǒng)安全穩(wěn)定運行，智芯公司必須盡快研發(fā)可在惡劣工況下實現(xiàn)高可靠、長壽命運行的國產電力芯片。趙東艷提出，對芯片退化機理、可靠性架構設計、制造工藝進行全鏈路技術再造。

　　為了從根本上揭示芯片退化機理，趙東艷帶領團隊用了8年時間，深入應用現(xiàn)場采集數(shù)據(jù)，從最低氣溫零下50攝氏度的黑龍江漠河，到日均最高氣溫達43攝氏度的新疆吐魯番，走了31個省份。最終，他們搜集整理出涵蓋極寒、極熱、高濕、高鹽霧、強電磁干擾等10余種30多類環(huán)境因素下電力系統(tǒng)各類設備運行的關鍵數(shù)據(jù)，為后續(xù)電力芯片高可靠設計奠定了基礎。

　　“芯片研制是個龐大的工程，過程復雜，環(huán)節(jié)眾多。這就要求我們依托龐大的現(xiàn)場運行數(shù)據(jù)，協(xié)同優(yōu)化設計、制造各環(huán)節(jié)，使研究取得突破。”趙東艷說。自2016年起，趙東艷帶領團隊研究國產工業(yè)芯片可靠性設計、制造協(xié)同技術。從毫米級封裝、微米級電路到納米級器件，她和團隊開創(chuàng)性地建立了涵蓋多物理場、工藝節(jié)點、器件結構、材料和工藝偏差的全要素高精度可靠性模型，解決了在設計階段難以精準預測工業(yè)芯片壽命的技術難題。經過兩年的攻堅，2018年，他們開發(fā)出滿足電力復雜環(huán)境要求的特色器件結構與材料，研制出寬溫區(qū)、抗強電磁干擾、耐高壓、長壽命的芯片，將電力芯片產品工作溫度范圍從零下25攝氏度至85攝氏度拓展到零下50攝氏度至125攝氏度，動態(tài)抗電磁能力提升20倍。該技術成果經6位院士鑒定，達到國際領先水平，為智芯公司8大類百余款芯片的研發(fā)提供了核心技術支撐。

　　近年來，新型電力系統(tǒng)建設對電力設備提出了面對實時業(yè)務響應快、能夠管理復雜業(yè)務計算等一系列特殊要求。趙東艷再次迎難而上，帶領團隊提出了簇內對稱、簇間非對稱的多核異構芯片架構，設計了集狀態(tài)感知、復雜計算、實時控制功能于一體的電路結構及協(xié)同調度機制。該機制實現(xiàn)了芯片的高集成、強實時、大算力，保障電力裝備具備實時在線監(jiān)測、故障快速響應、系統(tǒng)自動恢復等功能，目前已經在繼電保護高端主控芯片領域規(guī)模化應用，實現(xiàn)該領域芯片的自主可控。

　　在潛心研究的同時，趙東艷注重人才培養(yǎng)，常組織技術講座和培訓，將經驗技術傾囊相授，為企業(yè)培養(yǎng)了一批又一批科研能力過硬、工作作風優(yōu)良的技術人才，其中包括1名“十佳中國電子學會優(yōu)秀科技工作者”、3名“北京優(yōu)秀青年工程師”。團隊成員陳燕寧在趙東艷13年的悉心指導和培養(yǎng)下，已成長為智芯公司的科研骨干，取得了一系列具有原創(chuàng)性的科技成果，牽頭及參與重大科技項目25項。

　　如今，智芯公司自主研發(fā)的芯片已成功應用到海外80余個國家和地區(qū)。(蔚泉清 黃姍 趙滎)